型号
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| 型号 | BSP225 T/R | BSP225TRL | BSP225TRL13 |
|---|---|---|---|
| 描述 | mosfet 小信号 P-CH dmos 250v 225ma | TRANSISTOR 225 mA, 250 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Signal | TRANSISTOR 225 mA, 250 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Signal |
| 是否无铅 | - | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | - | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | - | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
| Reach Compliance Code | - | unknown | unknown |
| ECCN代码 | - | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | - | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 配置 | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | - | 250 V | 250 V |
| 最大漏极电流 (ID) | - | 0.225 A | 0.225 A |
| 最大漏源导通电阻 | - | 15 Ω | 15 Ω |
| FET 技术 | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | - | 15 pF | 15 pF |
| JESD-30 代码 | - | R-PDSO-G4 | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码 | - | e3 | e3 |
| 湿度敏感等级 | - | 1 | 1 |
| 元件数量 | - | 1 | 1 |
| 端子数量 | - | 4 | 4 |
| 工作模式 | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | - | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | - | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | - | 260 | 260 |
| 极性/信道类型 | - | P-CHANNEL | P-CHANNEL |
| 认证状态 | - | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | - | YES | YES |
| 端子面层 | - | TIN | TIN |
| 端子形式 | - | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | - | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | - | 40 | 40 |
| 晶体管应用 | - | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | - | SILICON | SILICON |